工学部先端材料理工学科4年の川口雄輝さんが窒化物半導体分野の国際会議でOutstanding Poster Awardを受賞

　威尼斯人官网_澳门现金赌场【官网平台】5年11月12日(日)～17日(金)、福岡県で開催された国際会議14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)において、本学工学部先端材料理工学科4年の川口雄輝さん（指導教員：酒井優 工学域教授）がOutstanding Poster Awardを受賞しました。
　本賞は、優れたポスター発表を行い、窒化物半導体分野で大きな貢献が期待される40歳未満の若手研究者に贈られるものです。
　受賞題目は「Whispering gallery mode oscillation in wurtzite and zinc-blende GaN microdisks（ウルツ鉱型及び閃亜鉛鉱型GaNマイクロディスクにおけるWGM発振）」です。マイクロメートルサイズの六角形ディスク状の窒化ガリウム結晶で観察されるウィスパーリングギャラリーモード型の光発振現象について、ディスクの結晶系が六方晶と立方晶の場合について観察、比較、評価を行いました。本研究成果により、今後のウィスパーリングギャラリーモード型マイクロレーザーへの応用が期待されます。
　受賞した川口さんは、「今回、初めて参加する国際会議でOutstanding Poster Awardという素晴らしい賞をいただけたことを大変光栄に思います。受賞するにあたりご指導いただいた酒井優教授をはじめ、東海林篤准教授、研究室の皆様に心から感謝申し上げます。今回の受賞を糧に、今後も研究の発展に向けて尽力して参ります」とコメントしています。